Größe: 150 x 50 Pixel 
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| Menge: | |
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15N65/F15N65/E15N65/D15N65
WXDH
7A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET
1 Beschreibung
Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht.Was dem RoHS-Standard entspricht.
2 Funktionen
● Schnelles Umschalten
● Niedriger Einschaltwiderstand (Rdson≤0,6Ω)
● Geringe Gate-Ladung (Typ: 47 nC)
● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 33 pF)
● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest
● 100 % ΔVDS-Test
3 Anwendungen
● Wird in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höheren Effizienz verwendet.
● Leistungsschaltkreis des elektronischen Vorschaltgeräts und des Adapters.
● Elektronischer Transformator
| VDSS | RDS(ein)(TYP) | AUSWEIS |
| 650V | 0,5 Ω | 15A |
7A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET
1 Beschreibung
Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht.Was dem RoHS-Standard entspricht.
2 Funktionen
● Schnelles Umschalten
● Niedriger Einschaltwiderstand (Rdson≤0,6Ω)
● Niedrige Gate-Ladung (Typ: 47 nC)
● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 33 pF)
● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest
● 100 % ΔVDS-Test
3 Anwendungen
● Wird in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höheren Effizienz verwendet.
● Leistungsschaltkreis des elektronischen Vorschaltgeräts und des Adapters.
● Elektronischer Transformator
| VDSS | RDS(ein)(TYP) | AUSWEIS |
| 650V | 0,5 Ω | 15A |
