注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Adet: | |
|---|---|
15N65/F15N65/ E15N65/D15N65
WXDH
7A 650V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu N-kanallı gelişmiş vdmosfet'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendinden hizalı düzlemsel teknolojiyle elde edilir.RoHS standardına uygundur.
2 Özellikler
● Hızlı geçiş
● Düşük direnç (Rdson≤0,6Ω)
● Düşük geçit şarjı (Tip: 47nC)
● Düşük ters transfer kapasitansları (Tip: 33pF)
● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi
● %100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Sistemin minyatürleştirilmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır.
● Elektronik balastın ve adaptörün güç anahtarı devresi.
● Elektronik transformatör
| VDSS | RDS(açık)(TİP) | İD |
| 650V | 0,5Ω | 15A |
7A 650V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu N-kanallı gelişmiş vdmosfet'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendinden hizalı düzlemsel teknolojiyle elde edilir.RoHS standardına uygundur.
2 Özellikler
● Hızlı geçiş
● Düşük direnç (Rdson≤0,6Ω)
● Düşük geçit şarjı (Tip: 47nC)
● Düşük ters transfer kapasitansları (Tip: 33pF)
● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi
● %100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Sistemin minyatürleştirilmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır.
● Elektronik balastın ve adaptörün güç anahtarı devresi.
● Elektronik transformatör
| VDSS | RDS(açık)(TİP) | İD |
| 650V | 0,5Ω | 15A |
