Տարբերակ՝ 建议图片大小150px*50px 
 |
| Քանակ. | |
|---|---|
15N65/F15N65/ E15N65/D15N65
WXDH
7A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Նկարագրություն
Այս N-ալիքով ուժեղացված vdmosfets-ը ստացվում է ինքնահաստատված հարթ տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է հաղորդման կորուստը, բարելավում է անջատման աշխատանքը և մեծացնում ավալանշի էներգիան:Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին:
2 Հատկանիշներ
● Արագ միացում
● Ցածր դիմադրություն (Rdson≤0,6Ω)
● Դարպասի ցածր լիցքավորում (տեսակը՝ 47nC)
● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ (Տեսակ՝ 33pF)
● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում
● 100% ΔVDS թեստ
3 Դիմումներ
● Օգտագործվում է էներգիայի միացման տարբեր սխեմաներում համակարգի մանրացման և ավելի բարձր արդյունավետության համար:
● Էլեկտրոնային բալաստի և ադապտորի հոսանքի անջատիչի միացում:
● Էլեկտրոնային տրանսֆորմատոր
| VDSS | RDS(միացված)(TYP) | ID |
| 650 Վ | 0.5Ω | 15Ա |
7A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Նկարագրություն
Այս N-ալիքով ուժեղացված vdmosfets-ը ստացվում է ինքնահաստատված հարթ տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է հաղորդման կորուստը, բարելավում է անջատման աշխատանքը և մեծացնում ավալանշի էներգիան:Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին:
2 Հատկանիշներ
● Արագ միացում
● Ցածր դիմադրություն (Rdson≤0,6Ω)
● Դարպասի ցածր լիցքավորում (տեսակը՝ 47nC)
● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ (Տեսակ՝ 33pF)
● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում
● 100% ΔVDS թեստ
3 Դիմումներ
● Օգտագործվում է էներգիայի միացման տարբեր սխեմաներում համակարգի մանրացման և ավելի բարձր արդյունավետության համար:
● Էլեկտրոնային բալաստի և ադապտորի հոսանքի անջատիչի միացում:
● Էլեկտրոնային տրանսֆորմատոր
| VDSS | RDS(միացված)(TYP) | ID |
| 650 Վ | 0.5Ω | 15Ա |
