4A 800V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET D4N80 bis 252B

4A 800V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung

D4N80, das Silizium-N-Kanal-Verbesserte VDMOSFETs, wird von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessern und die Lawinenenergie verbessern. Der Transistor kann in verschiedenen Stromschaltschaltkreis für die Systemminiaturisierung und eine höhere Effizienz verwendet werden. Das Paketformular ist bis zu 252B, was dem ROHS-Standard entspricht. 

2 Merkmale 

•  Schnelles Umschalten 

•  Niedrig des Widerstands (rdson ≤ 4,0 Ω) 

•  Ladung mit niedriger Gate (typische Daten: 17,3 NC) 

•  Niedrige Umkehrtransferkapazität (typisch: 4.3PF) 

•  100% Single Impulse Avalanche Energy Test

3 Anwendungen 

•  Stromschalterkreis von Adapter und Ladegerät.