Διαθεσιμότητα: | |
---|---|
Ποσότητα: | |
D4N80
WXDH
To-252b
800V
4α
4A 800V N-Channel MODECENT MOSFET
1 περιγραφή
Το D4N80, το N-Channel Enhanced VDMOSFETS, λαμβάνεται από την αυτο-ευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση της μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της Avalanche. Το τρανζίστορ μπορεί να χρησιμοποιηθεί σε διάφορα κύκλωμα μεταγωγής ισχύος για μικροσκοπία συστήματος και υψηλότερη απόδοση. Η φόρμα συσκευασίας είναι για 252b, η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS.
2 χαρακτηριστικά
Γρήγορη εναλλαγή
Χαμηλή αντίσταση (rdson≤4.0Ω)
Χαμηλή φόρτιση πύλης (τυπικά δεδομένα: 17.3 NC)
Χαμηλές χωρητικότητες αντίστροφης μεταφοράς (τυπικές: 4.3pf)
100% ενιαία δοκιμή ενέργειας Avalanche Avalanche
3 αιτήσεις
Κύκλωμα διακόπτη τροφοδοσίας του προσαρμογέα και του φορτιστή.
VDSS | RDS (ON) (τύπος) | ταυτότητα |
800V | 3.7Ω | 4α |
4A 800V N-Channel MODECENT MOSFET
1 περιγραφή
Το D4N80, το N-Channel Enhanced VDMOSFETS, λαμβάνεται από την αυτο-ευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση της μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της Avalanche. Το τρανζίστορ μπορεί να χρησιμοποιηθεί σε διάφορα κύκλωμα μεταγωγής ισχύος για μικροσκοπία συστήματος και υψηλότερη απόδοση. Η φόρμα συσκευασίας είναι για 252b, η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS.
2 χαρακτηριστικά
Γρήγορη εναλλαγή
Χαμηλή αντίσταση (rdson≤4.0Ω)
Χαμηλή φόρτιση πύλης (τυπικά δεδομένα: 17.3 NC)
Χαμηλές χωρητικότητες αντίστροφης μεταφοράς (τυπικές: 4.3pf)
100% ενιαία δοκιμή ενέργειας Avalanche Avalanche
3 αιτήσεις
Κύκλωμα διακόπτη τροφοδοσίας του προσαρμογέα και του φορτιστή.
VDSS | RDS (ON) (τύπος) | ταυτότητα |
800V | 3.7Ω | 4α |