Elérhetőség: | |
---|---|
Mennyiség: | |
D4N80
WXDH
TO-252B
800 V -os
4A
4A 800V N-csatornás javítási mód POWER MOSFET
1 Leírás
A D4N80-at, a szilícium N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológiával nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az Avalanche energiáját. A tranzisztor felhasználható a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra különféle teljesítménykapcsoló áramkörben. A csomaglap TO-252B, amely megfelel a ROHS szabványnak.
2 Jellemzők
Gyors váltás
Alacsony az ellenállás (RDSON≤4.0Ω)
Alacsony kapu töltés (tipikus adatok: 17,3 NC)
Alacsony fordított transzfer kapacitás (tipikus: 4.3pf)
100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
3 alkalmazás
Az adapter és a töltő teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (on) (typ) | Személyazonosság |
800 V -os | 3.7Ω | 4A |
4A 800V N-csatornás javítási mód POWER MOSFET
1 Leírás
A D4N80-at, a szilícium N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológiával nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az Avalanche energiáját. A tranzisztor felhasználható a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra különféle teljesítménykapcsoló áramkörben. A csomaglap TO-252B, amely megfelel a ROHS szabványnak.
2 Jellemzők
Gyors váltás
Alacsony az ellenállás (RDSON≤4.0Ω)
Alacsony kapu töltés (tipikus adatok: 17,3 NC)
Alacsony fordított transzfer kapacitás (tipikus: 4.3pf)
100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
3 alkalmazás
Az adapter és a töltő teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (on) (typ) | Személyazonosság |
800 V -os | 3.7Ω | 4A |