Доступност: | |
---|---|
Количина: | |
Д4Н80
Вкдх
До-252б
800В
4а
4А 800В Н-Цханнел ЕНЦХАНЦЕМЕНТ МОДЕ Повер МОСФЕТ
1 опис
Д4Н80, побољшани ВДМосФетс СИЛИЦОН Н-ЦХАННЕЛ, добија се самосвереном планом технологијом која смањује губитак провођења, побољшавају промијењене перформансе и побољшавају аванску енергију. Транзистор се може користити у разним кругу за пребацивање енергије за минијатуризацију система и већу ефикасност. Образац пакета је до-252б, који се у складу са стандардом РоХС-а.
2 карактеристике
Брзо пребацивање
Ниско на отпору (рдсон≤4.0Ω)
Наплата ниске капије (типични подаци: 17.3 НЦ)
Капацитети са ниским реверзним преносом (типично: 4.3пф)
100% појединачна пулсна аваланска тест енергије
3 апликације
Прекидач за пребацивање адаптера и пуњача.
ВДСС | РДС (он) (тип) | Ид |
800В | 3.7Ω | 4а |
4А 800В Н-Цханнел ЕНЦХАНЦЕМЕНТ МОДЕ Повер МОСФЕТ
1 опис
Д4Н80, побољшани ВДМосФетс СИЛИЦОН Н-ЦХАННЕЛ, добија се самосвереном планом технологијом која смањује губитак провођења, побољшавају промијењене перформансе и побољшавају аванску енергију. Транзистор се може користити у разним кругу за пребацивање енергије за минијатуризацију система и већу ефикасност. Образац пакета је до-252б, који се у складу са стандардом РоХС-а.
2 карактеристике
Брзо пребацивање
Ниско на отпору (рдсон≤4.0Ω)
Наплата ниске капије (типични подаци: 17.3 НЦ)
Капацитети са ниским реверзним преносом (типично: 4.3пф)
100% појединачна пулсна аваланска тест енергије
3 апликације
Прекидач за пребацивање адаптера и пуњача.
ВДСС | РДС (он) (тип) | Ид |
800В | 3.7Ω | 4а |