Availability: | |
---|---|
Dami: | |
D4N80
Wxdh
TO-252B
800v
4a
4A 800V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Paglalarawan
Ang D4N80, ang silikon na N-channel na pinahusay na VDMOSFET, ay nakuha ng teknolohiyang nakahanay sa sarili na binabawasan ang pagkawala ng pagpapadaloy, pagbutihin ang pagganap ng paglipat at mapahusay ang enerhiya ng avalanche. Ang transistor ay maaaring magamit sa iba't ibang circuit ng paglipat ng kuryente para sa miniaturization ng system at mas mataas na kahusayan. Ang form ng package ay TO-252B, na sumasang-ayon sa pamantayan ng ROHS.
2 Mga Tampok
Mabilis na paglipat
Mababa sa paglaban (rdson≤4.0Ω)
Mababang Gate Charge (Karaniwang Data: 17.3 NC)
Mababang reverse transfer capacitances (tipikal: 4.3pf)
100% Single Pulse Avalanche Energy Test
3 mga aplikasyon
Power switch circuit ng adapter at charger.
VDSS | Rds (on) (typ) | ID |
800v | 3.7Ω | 4a |
4A 800V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Paglalarawan
Ang D4N80, ang silikon na N-channel na pinahusay na VDMOSFET, ay nakuha ng teknolohiyang nakahanay sa sarili na binabawasan ang pagkawala ng pagpapadaloy, pagbutihin ang pagganap ng paglipat at mapahusay ang enerhiya ng avalanche. Ang transistor ay maaaring magamit sa iba't ibang circuit ng paglipat ng kuryente para sa miniaturization ng system at mas mataas na kahusayan. Ang form ng package ay TO-252B, na sumasang-ayon sa pamantayan ng ROHS.
2 Mga Tampok
Mabilis na paglipat
Mababa sa paglaban (rdson≤4.0Ω)
Mababang Gate Charge (Karaniwang Data: 17.3 NC)
Mababang reverse transfer capacitances (tipikal: 4.3pf)
100% Single Pulse Avalanche Energy Test
3 mga aplikasyon
Power switch circuit ng adapter at charger.
VDSS | Rds (on) (typ) | ID |
800v | 3.7Ω | 4a |