4A 800V N채널 강화 모드 전력 MOSFET D4N80 TO-252B

4A 800V N채널 강화 모드 전력 MOSFET

1 설명

실리콘 N채널 강화 VDMOSFET인 D4N80은 전도 손실을 줄이고 스위칭 성능을 개선하며 애벌런치 에너지를 향상시키는 자체 정렬 평면 기술로 구현됩니다. 트랜지스터는 시스템 소형화 및 고효율을 위해 다양한 전력 스위칭 회로에 사용될 수 있습니다. 패키지 형태는 RoHS 표준을 준수하는 TO-252B입니다. 

2 특징 

•  빠른 전환 

•  낮은 ON 저항(Rdson≤4.0Ω) 

•  낮은 게이트 전하(일반 데이터: 17.3nC) 

•  낮은 역전송 용량(일반: 4.3pF) 

•  100% 단일 펄스 애벌런치 에너지 테스트

3 응용 

•  어댑터와 충전기의 전원 스위치 회로.