20A 600V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET F20N60 bis-220F

20A 600V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung

Diese Silizium-N-Kanal-verbesserten VDMOSFETs werden von der selbst ausgerichteten Planar-Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessern und die Lawinenenergie verbessern. Das Paketformular beträgt bis 220F. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 0,45 Ω) 

● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 61NC) 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität (Typ: 20PF) 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

3 Anwendung 

● Wird in verschiedenen Stromschaltkreis für die Systemminiaturisierung und höhere Effizienz verwendet. 

● Stromschaltkreis von Adapter und Ladegerät.