20A 600V N-canali Enhancement Modus Power MOSFET F20N60 TO-220F

20A 600V N-canali Enhancement Modus Power MOSFET

1 Description

Haec Pii N-canale vdmosfets aucta obtinentur a technologia auto-aligna planaria quae conductionem damnum minuunt, emendas commutationes perficiendas et NIVIS energiam augendam. Forma sarcina TO-220F est. Quod congruit cum RoHS vexillum. 

2 Features

Fast commutatione 

Minimum resistente (Rdson≤0.45Ω) 

Minimum crimen (Typ: 61nC) 

Minimum contra facultates translationis (Typ: 20pF) 

C% unius pulsus NIVIS industria test 

C% VDS test 

III Application 

● In variis potentiae mutandi circuitionibus ad systema miniaturizationis et efficientiae altioris adhibitum. 

● Virtutis ambitum nibh ac patina commutandum.

VDSS	RDS(on)（TYP)	ID
600V	0.36Ω	20A