Chế độ tăng cường kênh N 20A 600V

Chế độ tăng cường kênh N 20A 600V

1 mô tả

Các VDMOSFET tăng cường kênh S silicon này thu được bằng công nghệ phẳng tự liên kết giúp giảm tổn thất dẫn truyền, cải thiện hiệu suất chuyển đổi và tăng cường năng lượng tuyết lở. Mẫu gói là TO-220F. Phù hợp với tiêu chuẩn ROHS. 

2 tính năng

● Chuyển đổi nhanh 

● Điện trở thấp (RDSON ≤0,45Ω) 

● Phí cổng thấp (TYP: 61NC) 

● Công suất chuyển ngược thấp (TYP: 20pf) 

● Bài kiểm tra năng lượng tuyết lở 100% 100% 

● Bài kiểm tra 100% ΔVDS 

3 ứng dụng 

● Được sử dụng trong mạch chuyển mạch nguồn khác nhau để thu nhỏ hệ thống và hiệu quả cao hơn. 

● Mạch chuyển đổi nguồn của bộ điều hợp và bộ sạc.