20A 600V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET F20N60 TO-220F

20A 600V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET พลังงาน

1 คำอธิบาย

vdmosfets ที่ปรับปรุงด้วยช่อง N ของซิลิคอนเหล่านี้ได้มาจากเทคโนโลยีระนาบแนวระนาบในตัว ซึ่งช่วยลดการสูญเสียการนำไฟฟ้า ปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับ และเพิ่มพลังงานหิมะถล่ม รูปแบบแพ็คเกจคือ TO-220F ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS 

2 คุณสมบัติ

● การสลับอย่างรวดเร็ว 

● ความต้านทานต่ำ (Rdson≤0.45Ω) 

● ค่าเกตต่ำ (ประเภท: 61nC) 

● ความจุการถ่ายโอนย้อนกลับต่ำ (ประเภท: 20pF) 

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100% 

● การทดสอบ ΔVDS 100% 

3 การสมัคร 

● ใช้ในวงจรสวิตชิ่งกำลังต่างๆ เพื่อการย่อขนาดระบบและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น 

● วงจรสวิตช์ไฟของอะแดปเตอร์และอุปกรณ์ชาร์จ

วีดีเอสเอส	RDS (เปิด) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
600V	0.36Ω	20เอ