20A 600V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET F20N60 TO-220F

20A 600V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Bu silikon N-kanalı geliştirilmiş vdmosfet'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendinden hizalı düzlemsel teknoloji ile elde edilir. Paket formu TO-220F'dir. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler

● Hızlı geçiş 

● Düşük direnç (Rdson≤0,45Ω) 

● Düşük geçit şarjı (Tip: 61nC) 

● Düşük ters transfer kapasitansları (Tip: 20pF) 

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi 

3 Uygulama 

● Sistemin küçültülmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır. 

● Adaptörün ve şarj cihazının güç anahtarı devresi.

VDSS	RDS(açık)（TYP)	İD
600V	0,36Ω	20A