20A 600V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET F20N60 TO-220F

20A 600V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Bu silikon n-kanallı geliştirilmiş VDMOSFET'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendi kendine hizalanmış düzlemsel teknoloji ile elde edilir. Paket formu 220F. ROHS standardı ile uyumludur. 

2 Özellik

● Hızlı anahtarlama 

● Direnç düşük (rdson0.45Ω) 

● Düşük kapı şarjı (tip: 61NC) 

● Düşük ters transfer kapasitansları (tip: 20pf) 

●% 100 tek nabız çığ enerji testi 

●% 100 ΔVDS testi 

3 Uygulama 

● Sistem minyatürleştirme ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devresinde kullanılır. 

● Adaptör ve şarj cihazının güç anahtarı devresi.