20A 600V מצב שיפור N-channel Power MOSFET F20N60 TO-220F

20A 600V מצב שיפור מצב N-channel Power MOSFET

1 תיאור

ה-vdmosfets המשופרים של סיליקון N-ערוץ אלה מתקבלים על ידי הטכנולוגיה המישורית המישורית העצמית אשר מפחיתה את אובדן ההולכה, משפרת את ביצועי המיתוג ומשפרת את אנרגיית המפולת. צורת החבילה היא TO-220F. מה שמתאים לתקן RoHS. 

2 תכונות

● מעבר מהיר 

● התנגדות נמוכה (Rdson≤0.45Ω) 

● טעינת שער נמוכה (סוג: 61nC) 

● קיבולי העברה הפוכה נמוכים (סוג: 20pF) 

● 100% בדיקת אנרגיית מפולת חד פעמית 

● 100% בדיקת ΔVDS 

3 יישום 

● משמש במעגלי מיתוג מתח שונים עבור מזעור מערכת ויעילות גבוהה יותר. 

● מעגל מתג מתח של מתאם ומטען.

VDSS	RDS(מופעל) (TYP)	תְעוּדַת זֶהוּת
600V	0.36Ω	20A