未命名(1)(8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » MOSFET



модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

MOSFET

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
220A 20V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P ДФН5*6-8 20В 220А Специфікація пристрою DH009N02P.pdf
13N50AH1/F13N50AH1/ I13N50AH1/E13N50AH1
320A 20V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH009N02U
18N50/F18N50/18N50D
180A 85V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A ТО-252Б 85В 180А Пристрій+DSD040N08N3A+Специфікація+Ред.1.0.pdf
2A 600V N-channe Enhancement Mode Power MOSFET F2N60 TO-220F F2N60 ТО-220Ф 600В 2А
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R ДО-220С 100В 120А Специфікація пристрою DH10H035R.pdf
5A 500V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET MOSFET D5N50 TO-252B D5N50 ТО-252Б 500В 5А Специфікація пристрою D5N50&B5N50.pdf
310A 20V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 ДО-220С 20В 310A Специфікація пристрою DH009N02.pdf
5A 500V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 ТО-251Б 500В 5А Специфікація пристрою D5N50&B5N50.pdf
60A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D ТО-252Б 30В 60А Специфікація пристрою DH081N03.pdf
200 В/11 мОм/110 А N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN ДСН108Н20Н ТО-3ПН 200В 110А Donghai_DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
18A 500V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 18N50 TO-220C 18N50 ДО-220С 500В 18А 英文版18N50技术规格书.pdf
30A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R ДФН3*3-8 30В 30А Специфікація пристрою DH081N03R.pdf
4A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 ТО-252Б 650В 4А 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
320A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D ТО-252Б 30В 320А Специфікація пристрою DH012N03.pdf
320A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 ДО-220С 30В 320А Специфікація пристрою DH012N03.pdf
100A 85V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 ДО-220С 85В 100А Специфікація пристрою DH85N08.pdf
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D ТО-252Б 40В 180А Специфікація пристрою DHS020N04D.pdf
175A 80V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS035N88E TO-263 DHS035N88E ТО-263 80В 175А Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf

Відео продукту



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку
    Надіслати
Авторське право © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com