N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C

N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET 180A 40V

1 Açıklama 

Bu N-kanal geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş Splite geçit teknolojisi tasarımını kullandı ve mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağladı. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Hızlı geçiş 

● Düşük direnç 

● Düşük kapı ücreti 

● Yüksek çığ akıntısı 

● Düşük ters transfer kapasitansları 

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi 

3 Uygulama 

● Güç anahtarlama uygulamaları 

● İnvertör yönetim sistemi 

● Elektrikli aletler

● Otomotiv elektroniği

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
40V	1.7mΩ	180A