20A 900V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET
1 Beskrivning
Dessa N-kanals förbättrade vdmosfets, erhålls av den självjusterade plana teknologin som minskar ledningsförlusten, förbättrar växlingsprestandan och förbättrar lavinenergin. Vilket överensstämmer med RoHS-standarden.
2 funktioner
● Snabb växling
● ESD förbättrad kapacitet
● Lågt motstånd (Rdson≤0,4Ω)
● Låg grindladdning (typ: 162nC)
● Låga omvända överföringskapacitanser (typ: 63,5pF)
● 100 % enkelpuls lavinenergitest
● 100 % ΔVDS-test
3 Applikationer
● Strömbrytarkrets för PC-ström.
| VDSS |
RDS(på)(TYP) |
ID |
| 900V |
0,31Ω |
20A |