20N90D/20N90B

20A 900V N-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET

1 ဖော်ပြချက်

ဤ N-channel မြှင့်တင်ထားသော vdmosfets များသည် conduction ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချရန်၊ switching performance ကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် avalanche စွမ်းအင်ကို မြှင့်တင်ပေးသည့် self-aligned planar နည်းပညာဖြင့် ရရှိပါသည်။ RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။

အင်္ဂါရပ် ၂ ခု

● အမြန်ပြောင်းခြင်း။

● ESD စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးသည်။

● ခုခံမှုနည်းသည်(Rdson≤0.4Ω)

● တံခါးအားသွင်းမှု နည်းသည် (အမျိုးအစား- 162nC)

● နိမ့်သောပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းစွမ်းရည်(အမျိုးအစား- 63.5pF)

● 100% single pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု

● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု

3 လျှောက်လွှာများ

● ပီစီပါဝါ၏ ပါဝါခလုတ် ပတ်လမ်း။

VDSS	RDS(ဖွင့်)(TYP)	အမှတ်သညာ
900V	0.31Ω	20A