20A 900V N-csatornás továbbfejlesztett mód Táp MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett vdmosfeteket az önbeálló síktechnológia biztosítja, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és növeli a lavina energiáját. Ami megfelel a RoHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Továbbfejlesztett ESD képesség
● Alacsony ellenállás (Rdson≤0,4Ω)
● Alacsony kaputöltés (Típus: 162nC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitás (Típus: 63,5 pF)
● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 Alkalmazások
● A számítógép tápellátásának főkapcsoló áramköre.
| VDSS |
RDS(be)(TYP) |
ID |
| 900V |
0,31Ω |
20A |