20A 900V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Paglalarawan
Ang mga pinahusay na vdmosfet ng N-channel na ito, ay nakuha ng self-aligned na planar na teknolohiya na nagpapababa sa pagkawala ng pagpapadaloy, nagpapabuti sa pagganap ng paglipat at nagpapahusay sa enerhiya ng avalanche. Alin ang naaayon sa pamantayan ng RoHS.
2 Mga Tampok
● Mabilis na paglipat
● pinahusay na kakayahan ng ESD
● Mababa ang resistensya (Rdson≤0.4Ω)
● Mababang gate charge(Typ: 162nC)
● Mababang reverse transfer capacitances(Typ: 63.5pF)
● 100% single pulse avalanche energy test
● 100% ΔVDS test
3 Aplikasyon
● Power switch circuit ng PC power.
| VDSS |
RDS(on)(TYP) |
ID |
| 900V |
0.31Ω |
20A |