未命名 (1) (8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом » Продукция » Igbt » 600V-650V » g50t65lbbw

загрузка

Поделиться с:
Кнопка обмена Facebook
Кнопка обмена Twitter
Кнопка обмена строками
Кнопка обмена WeChat
Кнопка совместного использования LinkedIn
Pinterest кнопка совместного использования
Кнопка обмена WhatsApp
Кнопка обмена Sharethis

G50T65LBBW

50A В транш -стоп
.
650
Запросить Добавить в корзину

50A 650 В трансполированная траншея биполярный транзистор затвора

1 Описание

Используя проприетарное проектирование траншеи и технологию FS в Донхае, IGBT 650V предлагает превосходное и

Переключение характеристик, высокая бурность с лавиной легкой параллельной операции

2 функции

● Технология FS Trench, положительный коэффициент температуры

● Низкое напряжение насыщения: VCE (SAT), тип = 1,8 В @ IC = 50A и TJ = 25 ° C

● Чрезвычайно улучшенные возможности лавины

3 приложения

● Сварка

● UPS

● Трехуровневый инвертор

Тип

 Vce IC VCESAT, TJ = 25 ℃ TJMAX Упаковка
G50T65LBBW 650 В. 50а 1,8 В. 175 ℃ До 247


Предыдущий: 
Следующий: 
G50T65LBBW
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By vedong.com