G50T65LBBW

50A 650V Trenchstop isoleeritud värava bipolaarne transistor

1 Kirjeldus

Kasutades DongHai patenteeritud Trench disaini ja täiustatud FS-tehnoloogiat, pakub 650 V FS IGBT suurepäraseid ja

lülitusjõudlus, kõrge laviinikindlus, lihtne paralleelne töö

2 Omadused

● FS Trench Technology, positiivne temperatuuritegur

● Madal küllastuspinge: VCE (sat), tüüp = 1,8 V @ IC = 50 A ja Tj = 25 °C

● Äärmiselt täiustatud laviinivõime

3 Rakendused

● Keevitamine

● UPS

● Kolmetasandiline inverter