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50A 650V Puerta de zanjes de trinchera Transistor bipolar
1 descripción
Utilizando el diseño de trincheras patentado de Donghai y la tecnología FS Advance, el 650V FS IGBT ofrece superior y
actuaciones de conmutación, ruggedness de alta avalancha Operación paralela fácil
2 características
● Tecnología de la trinchera FS, coeficiente de temperatura positiva
● Voltaje de bajo saturación: VCE (SAT), TYP = 1.8V @ IC = 50A y TJ = 25 ° C
● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada
3 aplicaciones
● Soldadura
● UPS
● Inverter de tres niveles
Tipo | VCE | Beer | Vcesat, TJ = 25 ℃ | Tjmax | Paquete |
G50T65LBBW | 650V | 50A | 1.8V | 175 ℃ | To-247 |
50A 650V Puerta de zanjes de trinchera Transistor bipolar
1 descripción
Utilizando el diseño de trincheras patentado de Donghai y la tecnología FS Advance, el 650V FS IGBT ofrece superior y
actuaciones de conmutación, ruggedness de alta avalancha Operación paralela fácil
2 características
● Tecnología de la trinchera FS, coeficiente de temperatura positiva
● Voltaje de bajo saturación: VCE (SAT), TYP = 1.8V @ IC = 50A y TJ = 25 ° C
● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada
3 aplicaciones
● Soldadura
● UPS
● Inverter de tres niveles
Tipo | VCE | Beer | Vcesat, TJ = 25 ℃ | Tjmax | Paquete |
G50T65LBBW | 650V | 50A | 1.8V | 175 ℃ | To-247 |