Descrição
Diodos ultrarrápidos de 60A, 300V Eles têm uma baixa queda de tensão direta e são de construção epitaxial plana, passivada com nitreto de silício, implantada com íons. Esses dispositivos destinam-se ao uso como diodos de direção/fixação de energia e retificadores em uma variedade de fontes de alimentação de comutação e outras aplicações de comutação de energia. Sua baixa carga armazenada e recuperação ultrarrápida com características de recuperação suave minimizam o toque e o ruído elétrico em muitos circuitos de comutação de energia, reduzindo assim a perda de potência no transistor de comutação.
Características
● Baixa perda de energia
● alta eficiência Baixa tensão direta
● alta capacidade de corrente Alta capacidade de surto
● Tempos de recuperação super rápidos
● alta tensão
Aplicativos
● Fonte de alimentação comutada
● Circuitos de comutação de energia
● Fonte de alimentação do inversor