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MUR6030NCA

Ultraschnelle Dioden mit 60 A und 300 V. Sie weisen einen geringen Durchlassspannungsabfall auf und bestehen aus einer planaren, mit Siliziumnitrid passivierten, ionenimplantierten Epitaxiekonstruktion. Diese Geräte sind für den Einsatz als Energiesteuerungs-/Klemmdioden und Gleichrichter in einer Vielzahl von Schaltnetzteilen und anderen Leistungsschaltanwendungen vorgesehen. Ihre geringe gespeicherte Ladung und die ultraschnelle Wiederherstellung mit Soft-Recovery-Eigenschaften minimieren Überschwingungen und elektrisches Rauschen in vielen Leistungsschaltkreisen und reduzieren so den Leistungsverlust im Schalttransistor.
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Beschreibung

Ultraschnelle Dioden mit 60 A und 300 V. Sie weisen einen geringen Durchlassspannungsabfall auf und bestehen aus einer planaren, mit Siliziumnitrid passivierten, ionenimplantierten Epitaxiekonstruktion. Diese Geräte sind für den Einsatz als Energiesteuerungs-/Klemmdioden und Gleichrichter in einer Vielzahl von Schaltnetzteilen und anderen Leistungsschaltanwendungen vorgesehen. Ihre geringe gespeicherte Ladung und die ultraschnelle Wiederherstellung mit Soft-Recovery-Eigenschaften minimieren Überschwingungen und elektrisches Rauschen in vielen Leistungsschaltkreisen und reduzieren so den Leistungsverlust im Schalttransistor.

Merkmale

● Geringe Verlustleistung

● hoher Wirkungsgrad. Niedrige Durchlassspannung

● hohe Strombelastbarkeit. Hohe Stoßstrombelastbarkeit

● Superschnelle Wiederherstellungszeiten

● Hochspannung

Anwendungen

● Schaltnetzteil

● Stromschaltkreise

● Wechselrichter-Stromversorgung

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