Beschreibung
Ultraschnelle Dioden mit 60 A und 300 V. Sie weisen einen geringen Durchlassspannungsabfall auf und bestehen aus einer planaren, mit Siliziumnitrid passivierten, ionenimplantierten Epitaxiekonstruktion. Diese Geräte sind für den Einsatz als Energiesteuerungs-/Klemmdioden und Gleichrichter in einer Vielzahl von Schaltnetzteilen und anderen Leistungsschaltanwendungen vorgesehen. Ihre geringe gespeicherte Ladung und die ultraschnelle Wiederherstellung mit Soft-Recovery-Eigenschaften minimieren Überschwingungen und elektrisches Rauschen in vielen Leistungsschaltkreisen und reduzieren so den Leistungsverlust im Schalttransistor.
Merkmale
● Geringe Verlustleistung
● hoher Wirkungsgrad. Niedrige Durchlassspannung
● hohe Strombelastbarkeit. Hohe Stoßstrombelastbarkeit
● Superschnelle Wiederherstellungszeiten
● Hochspannung
Anwendungen
● Schaltnetzteil
● Stromschaltkreise
● Wechselrichter-Stromversorgung