ဖော်ပြချက်
60A၊ 300V Ultrafast Diodes ၎င်းတို့တွင် ရှေ့သို့ ဗို့အားကျဆင်းမှု နည်းပါးပြီး အသွားအလာ၊ ဆီလီကွန်နိုက်ထရိတ် passivated၊ ion-implanted၊ epitaxial တည်ဆောက်မှုဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည်။ ဤစက်ပစ္စည်းများသည် switching power supply နှင့် အခြားသော power switching applications အမျိုးမျိုးတွင် စွမ်းအင်စတီယာရင်/ကလစ်ဆွဲဒိုင်အိုဒများနှင့် rectifiers များအဖြစ် အသုံးပြုရန်အတွက် ရည်ရွယ်ပါသည်။ ၎င်းတို့၏ သိုလှောင်မှုနည်းသော အားသွင်းမှုနှင့် အလွန်လျင်မြန်သော ပြန်လည်ရယူမှုသည် ပျော့ပျောင်းသော ပြန်လည်ထူထောင်ရေးလက္ခဏာများနှင့်အတူ ပါဝါပြောင်းသည့် ဆားကစ်များစွာတွင် အသံမြည်ခြင်းနှင့် လျှပ်စစ်ဆူညံသံများကို လျှော့ချပေးသောကြောင့် switching transistor တွင် ပါဝါဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချပေးသည်။
အင်္ဂါရပ်များ
● ပါဝါဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးခြင်း။
● စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော Low forward ဗို့အား
● high current capability High surge capacity
● အလွန်မြန်ဆန်စွာ ပြန်လည်ရယူချိန်
● မြင့်မားသောဗို့အား
အသုံးချမှု
● ပါဝါထောက်ပံ့မှုကို ပြောင်းခြင်း။
● ပါဝါပြောင်းခြင်း ဆားကစ်များ
● အင်ဗာတာ ပါဝါထောက်ပံ့မှု