။ | |
---|---|
တို့ | |
ဖေါ်ပြချက်
60A, 300V ultrafast diodes တွင် 4 င်းတို့တွင်ရှေ့သို့ဗို့အားကျဆင်းခြင်း, ဤကိရိယာများသည်စွမ်းအင်စတီယာရင်, ညှပ်ခြင်းနှင့်အရောအနှောများကိုပါဝါထောက်ပံ့ရေးပစ္စည်းများနှင့်အခြားပါဝါခလုတ်ပြောင်းသည့် applications အမျိုးမျိုးတွင်အသုံးပြုရန်ရည်ရွယ်သည်။ နူးညံ့သောပြန်လည်ထူထောင်ရေးဝိသေသလက္ခဏာများနှင့်အတူသူတို့၏အနိမ့်သိုလှောင်မှုနှင့်အလွန်အမင်းပြန်လည်ထူထောင်ရေးများနှင့်အတူ Ultrafast Recovery တို့ကလျှပ်စစ်ဓာတ်အားပြတ်တောက်မှုများကိုလျှော့ချပြီးလျှပ်စစ်ဓာတ်အားပြတ်တောက်မှုတွင်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပြတ်တောက်မှုများကိုပြောင်းလဲစေသည့် transistor တွင်ပါဝါဆုံးရှုံးမှုကိုလျော့နည်းစေသည်။
အင်္ဂါရပ်များ
●ပါဝါဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးခြင်း
●မြင့်မားသောရှေ့သို့ volticippage နိမ့်
●မြင့်မားသောလက်ရှိစွမ်းရည်မြင့်တက်နိုင်စွမ်း
●စူပါမြန်မြန်ပြန်လည်ထူထောင်ရေးအကြိမ်
● High ဗို့အား
လျှောက်လွှာများ
●ပါဝါထောက်ပံ့ရေးကိုပြောင်းခြင်း
●ပါဝါ switching circuits
● Insterter Power Supply
ဖေါ်ပြချက်
60A, 300V ultrafast diodes တွင် 4 င်းတို့တွင်ရှေ့သို့ဗို့အားကျဆင်းခြင်း, ဤကိရိယာများသည်စွမ်းအင်စတီယာရင်, ညှပ်ခြင်းနှင့်အရောအနှောများကိုပါဝါထောက်ပံ့ရေးပစ္စည်းများနှင့်အခြားပါဝါခလုတ်ပြောင်းသည့် applications အမျိုးမျိုးတွင်အသုံးပြုရန်ရည်ရွယ်သည်။ နူးညံ့သောပြန်လည်ထူထောင်ရေးဝိသေသလက္ခဏာများနှင့်အတူသူတို့၏အနိမ့်သိုလှောင်မှုနှင့်အလွန်အမင်းပြန်လည်ထူထောင်ရေးများနှင့်အတူ Ultrafast Recovery တို့ကလျှပ်စစ်ဓာတ်အားပြတ်တောက်မှုများကိုလျှော့ချပြီးလျှပ်စစ်ဓာတ်အားပြတ်တောက်မှုတွင်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပြတ်တောက်မှုများကိုပြောင်းလဲစေသည့် transistor တွင်ပါဝါဆုံးရှုံးမှုကိုလျော့နည်းစေသည်။
အင်္ဂါရပ်များ
●ပါဝါဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးခြင်း
●မြင့်မားသောရှေ့သို့ volticippage နိမ့်
●မြင့်မားသောလက်ရှိစွမ်းရည်မြင့်တက်နိုင်စွမ်း
●စူပါမြန်မြန်ပြန်လည်ထူထောင်ရေးအကြိမ်
● High ဗို့အား
လျှောက်လွှာများ
●ပါဝါထောက်ပံ့ရေးကိုပြောင်းခြင်း
●ပါဝါ switching circuits
● Insterter Power Supply