saatavuuden tehonhäviöitä: | |
---|---|
Määrä: | |
Kuvaus
60A, 300 V: n ultrasiodiodit, niillä on matala eteenpäin suuntautuva jännitepisara, ja ne ovat tasomaisia, piinitridiä passiivisia, ionisimplantoituja, epitaksiaalisia rakenteita. Nämä laitteet on tarkoitettu käytettäväksi energianohjaus-/kiinnitys diodeina ja tasasuuntaajina monissa vaihtamisessa virtalähteissä ja muissa virrankytkentäsovelluksissa. Niiden matala varastoitu varaus ja erittäin korkean talteenotto pehmeillä talteenottoominaisuuksilla minimoi rengasta ja sähkömelua monissa virrankytkentäpiirissä vähentäen siten kytkentätransistorin tehonhäviöitä.
Piirteet
● Pienen tehon menetys
● Korkea hyötysuhde alhainen eteenpäinjännite
● Korkea virranominaisuudet Korkea ylityskapasiteetti
● Erittäin nopea palautusajat
● Korkea jännite
Sovellukset
● Virtalähteen vaihtaminen
● Virrankytkentäpiirit
● Inverterin virtalähde
Kuvaus
60A, 300 V: n ultrasiodiodit, niillä on matala eteenpäin suuntautuva jännitepisara, ja ne ovat tasomaisia, piinitridiä passiivisia, ionisimplantoituja, epitaksiaalisia rakenteita. Nämä laitteet on tarkoitettu käytettäväksi energianohjaus-/kiinnitys diodeina ja tasasuuntaajina monissa vaihtamisessa virtalähteissä ja muissa virrankytkentäsovelluksissa. Niiden matala varastoitu varaus ja erittäin korkean talteenotto pehmeillä talteenottoominaisuuksilla minimoi rengasta ja sähkömelua monissa virrankytkentäpiirissä vähentäen siten kytkentätransistorin tehonhäviöitä.
Piirteet
● Pienen tehon menetys
● Korkea hyötysuhde alhainen eteenpäinjännite
● Korkea virranominaisuudet Korkea ylityskapasiteetti
● Erittäin nopea palautusajat
● Korkea jännite
Sovellukset
● Virtalähteen vaihtaminen
● Virrankytkentäpiirit
● Inverterin virtalähde