disponibilidad de transistores de conmutación: | |
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Descripción
60A, 300 V Diodos ultrarrápidos tienen una caída de voltaje hacia adelante baja y son de construcción epitaxial plana de nitruro de silicio, implantada con iones. Estos dispositivos están destinados a su uso como diodos y rectificadores de dirección de energía/sujeción en una variedad de alimentantes de conmutación y otras aplicaciones de conmutación de alimentación. Su baja carga almacenada y su recuperación ultrarrápida con características de recuperación suave minimiza el timbre y el ruido eléctrico en muchos circuitos de conmutación de potencia, reduciendo así la pérdida de potencia en el transistor de conmutación.
Características
● Baja pérdida de energía
● Voltaje avanzado bajo de alta eficiencia
● Capacidad de alta capacidad de alta capacidad de alta sobretensión
● Tiempos de recuperación súper rápidos
● Alto voltaje
Aplicaciones
● Fuente de alimentación de conmutación
● Circuitos de conmutación de encendido
● Fuente de alimentación del inversor
Descripción
60A, 300 V Diodos ultrarrápidos tienen una caída de voltaje hacia adelante baja y son de construcción epitaxial plana de nitruro de silicio, implantada con iones. Estos dispositivos están destinados a su uso como diodos y rectificadores de dirección de energía/sujeción en una variedad de alimentantes de conmutación y otras aplicaciones de conmutación de alimentación. Su baja carga almacenada y su recuperación ultrarrápida con características de recuperación suave minimiza el timbre y el ruido eléctrico en muchos circuitos de conmutación de potencia, reduciendo así la pérdida de potencia en el transistor de conmutación.
Características
● Baja pérdida de energía
● Voltaje avanzado bajo de alta eficiencia
● Capacidad de alta capacidad de alta capacidad de alta sobretensión
● Tiempos de recuperación súper rápidos
● Alto voltaje
Aplicaciones
● Fuente de alimentación de conmutación
● Circuitos de conmutación de encendido
● Fuente de alimentación del inversor