DGA75H65M2T

75A Módulo de meia ponte de 650V

1 Descrição

Esses transistores bipolares de porta isolados usaram o design avançado da tecnologia e da tecnologia de campo avançado, proporcionou excelente VCESAT e velocidade de comutação, carga baixa do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.

2 recursos

● Tecnologia da trincheira FS, temperatura positiva

coeficiente

● Baixa tensão de saturação: VCE (SAT), TIP = 1,7V @ IC = 75A e TJ = 25 ° C

● Capacidade de avalanche extremamente aprimorada

Aplicações

●  Soldagem

●  UPS

●  Inversor de três levas

●  amplificador de acionamento de servo AC e CC

Tipo	VCE	Ic	Vcesat, tj = 25 ℃	TJOP	Pacote
DGA75H65M2T	650V	75a (tj = 100 ℃)	1.7V (Typ)	175 ℃	34 mm