DGA75H65M2T

75A 650V ໂມດູນຂົວເຄິ່ງ

1 ຄຳອະທິບາຍ

ເຫຼົ່ານີ້ Insulated Gate Transistor ໄດ້ນໍາໃຊ້ trench ກ້າວຫນ້າທາງດ້ານແລະການອອກແບບເຕັກໂນໂລຊີ Fieldstop, ສະຫນອງ VCEsat ທີ່ດີເລີດແລະຄວາມໄວສະຫຼັບ, ຄ່າບໍລິການປະຕູຕ່ໍາ. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS.

2 ຄຸນສົມບັດ

● FS Trench Technology, ອຸນຫະພູມບວກ

ຄ່າສໍາປະສິດ

● ແຮງດັນຄວາມອີ່ມຕົວຕໍ່າ: VCE(sat), typ = 1.7V @ IC = 75A ແລະ Tj = 25°C

● ຄວາມສາມາດຂອງຫິມະຫິມະຕົກທີ່ດີຂຶ້ນ

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

●  ການເຊື່ອມໂລຫະ

●  UPS

●  Inverter ສາມລະດັບ

●  ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງ AC ແລະ DC servo drive

ປະເພດ	VCE	ໄອຄ	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	ຊຸດ
DGA75H65M2T	650V	75A (Tj=100℃)	1.7V (ປະເພດ)	175 ℃	34ມມ