DGA75H65M2T

Modul setengah jembatan 75A 650V

1 Deskripsi

Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi ini menggunakan desain teknologi parit dan Fieldstop yang canggih, memberikan VCEsat dan kecepatan peralihan yang sangat baik, biaya gerbang yang rendah. Yang sesuai dengan standar RoHS.

2 Fitur

● Teknologi FS Trench, Suhu positif

koefisien

● Tegangan saturasi rendah: VCE(sat), typ = 1,7V @ IC =75A dan Tj = 25°C

● Kemampuan longsoran salju yang sangat ditingkatkan

Aplikasi

●  Pengelasan

●  UPS

●  Inverter Tiga Tingkat

●  Penguat penggerak servo AC dan DC

Jenis	VCE	Ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Kemasan
DGA75H65M2T	650V	75A (Tj=100℃)	1.7V (Jenis)	175℃	34 MM