DGA75H65M2T

75A 650V Medium pontis moduli

1 Description

Hae Portae Bipolar Transistor Insulae usi progressu fossae et consilio technologiae Fieldstop, providit VCEsat et celeritate mutandi , portae humilis crimen. Quod congruit cum RoHS vexillum.

2 Features

FS Trench Technology, Positiva temperatus

coefficiens

Saturatio humilis intentione: VCE(sat), typ = 1.7V @ IC = 75A et Tj = 25°C

valde auctus facultatem NIVIS CASUS

Applications

Welding ​

UPS ​

Tres  -gradu Inverter

AC  et DC servo coegi amplifier

Type	VCE	Ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	sarcina
DGA75H65M2T	650V	75A (Tj=100℃)	1.7V (Type)	175	34MM