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Módulo de medio puente 75A 650V
1. Descripción
Estos transistores bipolares de puerta aislada utilizaron un diseño avanzado de tecnología de trinchera y Fieldstop, proporcionaron excelente VCEsat y velocidad de conmutación, y baja carga de puerta.Lo cual cumple con el estándar RoHS.
2 características
● Tecnología FS Trench, temperatura positiva
coeficiente
● Voltaje de baja saturación: VCE(sat), típ. = 1,7 V @ IC = 75 A y Tj = 25 °C
● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada
Aplicaciones
● Soldadura
● SAI
● Inversor de tres niveles
● Amplificador servoaccionador de CA y CC
| Tipo | VCE | ic | VCEsat,Tj=25℃ | Tjop | Paquete |
| DGA75H65M2T | 650V | 75A (Tj=100℃) | 1,7 V (típico) | 175℃ | 34MM |
Módulo de medio puente 75A 650V
1. Descripción
Estos transistores bipolares de puerta aislada utilizaron un diseño avanzado de tecnología de trinchera y Fieldstop, proporcionaron excelente VCEsat y velocidad de conmutación, y baja carga de puerta.Lo cual cumple con el estándar RoHS.
2 características
● Tecnología FS Trench, temperatura positiva
coeficiente
● Voltaje de baja saturación: VCE(sat), típ. = 1,7 V @ IC = 75 A y Tj = 25 °C
● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada
Aplicaciones
● Soldadura
● SAI
● Inversor de tres niveles
● Amplificador servoaccionador de CA y CC
| Tipo | VCE | ic | VCEsat,Tj=25℃ | Tjop | Paquete |
| DGA75H65M2T | 650V | 75A (Tj=100℃) | 1,7 V (típico) | 175℃ | 34MM |
