DGA75H65M2T

Módulo de medio puente 75A 650V

1 Descripción

Estos transistores bipolares de puerta aislada utilizaron un diseño avanzado de tecnología de trinchera y Fieldstop, proporcionaron excelente VCEsat y velocidad de conmutación, y baja carga de puerta. Lo cual cumple con el estándar RoHS.

2 características

● Tecnología FS Trench, temperatura positiva

coeficiente

● Voltaje de baja saturación: VCE(sat), típ. = 1,7 V @ IC = 75 A y Tj = 25 °C

● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada

Aplicaciones

●  Soldadura

●  SAI

●  Inversor de tres niveles

●  Amplificador servoaccionador de CA y CC

Tipo	VCE	ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Paquete
DGA75H65M2T	650V	75A (Tj=100℃)	1,7 V (típico)	175℃	34MM