Disponibilidade MOSFET: | |
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Quantidade: | |
10A 400V N-canal Modo de aprimoramento Power MOSFET
1 Descrição
Esses VDMOSFETs aprimorados de canal N são obtidos pela tecnologia plana auto-alinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho da comutação e aprimora a energia da avalanche. Que de acordo com o padrão ROHS.
2 recursos
● Comutação rápida
● Resiatância baixa no estado (RDSON≤0,55Ω)
● Carga baixa do portão (Tip: 23NC)
● Capacitâncias de transferência reversa baixa (tip: 8pf)
● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único
● Teste 100% ΔVDS
3 aplicações
● Utilizado em vários circuitos de comutação de energia para miniaturização do sistema e maior eficiência.
● Circuito de troca de energia do adaptador e carregador
VDSS | Rds (on) (Typ) | EU IA |
400V | 0,44Ω | 10a |
10A 400V N-canal Modo de aprimoramento Power MOSFET
1 Descrição
Esses VDMOSFETs aprimorados de canal N são obtidos pela tecnologia plana auto-alinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho da comutação e aprimora a energia da avalanche. Que de acordo com o padrão ROHS.
2 recursos
● Comutação rápida
● Resiatância baixa no estado (RDSON≤0,55Ω)
● Carga baixa do portão (Tip: 23NC)
● Capacitâncias de transferência reversa baixa (tip: 8pf)
● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único
● Teste 100% ΔVDS
3 aplicações
● Utilizado em vários circuitos de comutação de energia para miniaturização do sistema e maior eficiência.
● Circuito de troca de energia do adaptador e carregador
VDSS | Rds (on) (Typ) | EU IA |
400V | 0,44Ω | 10a |