Disponibilité MOSFET: | |
---|---|
Quantité: | |
Mode d'amélioration du canal N 400V 10A MOSFET
1 Description
Ces VDMOSFET améliorés en n canal N sont obtenus par la technologie plane auto-alignée qui réduisent la perte de conduction, améliorent les performances de commutation et améliorent l'énergie de l'avalanche. Qui correspond à la norme ROHS.
2 caractéristiques
● Commutation rapide
● Faible résiiation sur l'État (RDSON≤0,55Ω)
● Charge de porte basse (Typ: 23NC)
● Capacités de transfert inverse faibles (TYP: 8pf)
● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion
● Test à 100% ΔVDS
3 applications
● Utilisé dans divers circuits de commutation d'alimentation pour la miniaturisation du système et une efficacité plus élevée.
● Circuit d'interrupteur d'alimentation de l'adaptateur et du chargeur
Vds | RDS (ON) (TYP) | IDENTIFIANT |
400 V | 0,44Ω | 10A |
Mode d'amélioration du canal N 400V 10A MOSFET
1 Description
Ces VDMOSFET améliorés en n canal N sont obtenus par la technologie plane auto-alignée qui réduisent la perte de conduction, améliorent les performances de commutation et améliorent l'énergie de l'avalanche. Qui correspond à la norme ROHS.
2 caractéristiques
● Commutation rapide
● Faible résiiation sur l'État (RDSON≤0,55Ω)
● Charge de porte basse (Typ: 23NC)
● Capacités de transfert inverse faibles (TYP: 8pf)
● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion
● Test à 100% ΔVDS
3 applications
● Utilisé dans divers circuits de commutation d'alimentation pour la miniaturisation du système et une efficacité plus élevée.
● Circuit d'interrupteur d'alimentation de l'adaptateur et du chargeur
Vds | RDS (ON) (TYP) | IDENTIFIANT |
400 V | 0,44Ω | 10A |