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10A 400V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET
1 Beschreibung
Diese N-Channel-verstärkten VDMOSFETs werden von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie verbessert. Das entspricht dem ROHS -Standard.
2 Merkmale
● schnelles Umschalten
● Niedrig auf dem Zustand (RDSON ≤ 0,55 Ω)
● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 23NC)
● Niedrige Umkehrtransferkapazität (Typ: 8PF)
● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest
● 100% ΔVDS -Test
3 Anwendungen
● Wird in verschiedenen Stromschaltkreis für die Systemminiaturisierung und höhere Effizienz verwendet.
● Stromschalterkreis von Adapter und Ladegerät
VDSS | RDS (ON) (Typ) | AUSWEIS |
400V | 0,44 Ω | 10a |
10A 400V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET
1 Beschreibung
Diese N-Channel-verstärkten VDMOSFETs werden von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie verbessert. Das entspricht dem ROHS -Standard.
2 Merkmale
● schnelles Umschalten
● Niedrig auf dem Zustand (RDSON ≤ 0,55 Ω)
● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 23NC)
● Niedrige Umkehrtransferkapazität (Typ: 8PF)
● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest
● 100% ΔVDS -Test
3 Anwendungen
● Wird in verschiedenen Stromschaltkreis für die Systemminiaturisierung und höhere Effizienz verwendet.
● Stromschalterkreis von Adapter und Ladegerät
VDSS | RDS (ON) (Typ) | AUSWEIS |
400V | 0,44 Ω | 10a |