Disponibilitate: | |
---|---|
Cantitate: | |
10A 400V Mod de îmbunătățire a canalelor N MOSFET
1 Descriere
Aceste VDMOSFET-uri îmbunătățite cu canal N, sunt obținute prin tehnologia plană auto-aliniată, care reduc pierderea de conducere, îmbunătățesc performanța de comutare și îmbunătățesc energia de avalanșă. Care este în conformitate cu standardul ROHS.
2 caracteristici
● comutare rapidă
● Resiantare scăzută la stat (RDSON≤0.55Ω)
● Încărcare scăzută a porții (TIP: 23NC)
● Capacități de transfer invers scăzut (TYP: 8PF)
● Test de energie 100% cu un singur impuls de avalanșă
● Test 100% ΔVDS
3 aplicații
● Folosit în diverse circuit de comutare a puterii pentru miniaturizarea sistemului și eficiență mai mare.
● Circuitul comutatorului de alimentare a adaptorului și încărcătorului
VDSS | RDS (ON) (TIP) | Id |
400V | 0,44Ω | 10A |
10A 400V Mod de îmbunătățire a canalelor N MOSFET
1 Descriere
Aceste VDMOSFET-uri îmbunătățite cu canal N, sunt obținute prin tehnologia plană auto-aliniată, care reduc pierderea de conducere, îmbunătățesc performanța de comutare și îmbunătățesc energia de avalanșă. Care este în conformitate cu standardul ROHS.
2 caracteristici
● comutare rapidă
● Resiantare scăzută la stat (RDSON≤0.55Ω)
● Încărcare scăzută a porții (TIP: 23NC)
● Capacități de transfer invers scăzut (TYP: 8PF)
● Test de energie 100% cu un singur impuls de avalanșă
● Test 100% ΔVDS
3 aplicații
● Folosit în diverse circuit de comutare a puterii pentru miniaturizarea sistemului și eficiență mai mare.
● Circuitul comutatorului de alimentare a adaptorului și încărcătorului
VDSS | RDS (ON) (TIP) | Id |
400V | 0,44Ω | 10A |