4A 1500V מצב שיפור N-channel Power MOSFET DH4N150F TO-3PF

4A 1500V N-channel Mode Power MOSFET

1 תיאור

DH4N150, ה-VDMOSFETs המשופרים של סיליקון N-channel, מתקבל על ידי הטכנולוגיה המישורית המישורית העצמית אשר מפחיתה את אובדן ההולכה, משפרת את ביצועי המיתוג ומשפרת את אנרגיית המפולת. ניתן להשתמש בטרנזיסטור במעגלי מיתוג מתח שונים למזעור המערכת ויעילות גבוהה יותר. טופס החבילה הוא TO-3PF, התואם את תקן RoHS. 

2 תכונות 

• החלפה מהירה 

• התנגדות ON נמוכה (Rdson≤6.5Ω) 

• טעינת שער נמוכה (נתונים טיפוסיים: 38nC) 

• קיבולי העברה הפוכה נמוכים (אופייני: 2.9pF) 

• 100% בדיקת אנרגיית מפולת חד פעמית 

3 יישומים 

 מעגל מתג מתח של מתאם ומטען.

VDSS	RDS(on)(TYP)	תְעוּדַת זֶהוּת
1500V	4.9Ω	4א