Tehoelektroniikan alalla eristetty portin bipolaarinen transistori (IGBT) on yksi viime vuosikymmenien vaikutusvaltaisimmista komponenteista.

Nopeasti kehittyvässä tehoelektroniikan kentässä oikean kytkentälaitteen valitseminen on kriittistä tehokkuuden, luotettavuuden ja suorituskyvyn saavuttamiseksi.

Kun autoteollisuus kiihtyy kohti sähköistämistä, yksi tekniikka jatkaa voimakkaasti tätä vallankumousta: eristetty portin bipolaarinen transistori (IGBT).

Power Electronics -maailmassa on tapahtunut valtavia edistysaskeleita viime vuosikymmeninä, ja eri sovelluksiin on noussut tehokkaampia, luotettavampia ja kustannustehokkaampia komponentteja. Yksi tällainen innovaatio tällä alalla on Trenchstop -eristetty portin bipolaarinen transistori (IGBT).

Power Electronics on nykyaikaisten sähköjärjestelmien selkäranka, joka auttaa muuntamaan, hallitsemaan ja hallitsemaan sähköenergiaa moniin sovelluksiin.