I réimse na leictreonaice cumhachta, tá an Transistor Bipolar Gate Insulated (IGBT) mar cheann de na comhpháirteanna is mó tionchair le blianta beaga anuas.

I réimse na leictreonaice cumhachta atá ag forbairt go tapa, tá sé ríthábhachtach an gléas lasctha ceart a roghnú chun éifeachtúlacht, iontaofacht agus feidhmíocht a bhaint amach.

De réir mar a ghéaraíonn tionscal na ngluaisteán i dtreo leictriú, leanann teicneolaíocht amháin ar aghaidh leis an réabhlóid seo a chumhachtú go ciúin: an Trasraitheoir Dépholach Geata Inslithe (IGBT).

Tá dul chun cinn ollmhór déanta i saol na leictreonaice cumhachta le blianta beaga anuas, le comhpháirteanna níos éifeachtaí, níos iontaofa agus níos cost-éifeachtaí ag teacht chun cinn d'fheidhmchláir éagsúla. Nuálaíocht amháin den sórt sin sa réimse seo is ea an Trasraitheoir Dépholach Geata Inslithe Trenchstop (IGBT).

Is é leictreonaic chumhachta cnámh droma na gcóras leictreach nua-aimseartha, ag cuidiú le fuinneamh leictreach a thiontú, a rialú agus a bhainistiú le haghaidh feidhmeanna éagsúla.