Inden for kraftelektronik står den isolerede gate bipolære transistor (IGBT) som en af ​​de mest indflydelsesrige komponenter i de sidste par årtier.

I det hurtigt udviklende felt af kraftelektronik er det vigtigt at vælge den rigtige switching-enhed for at opnå effektivitet, pålidelighed og ydeevne.

Når bilindustrien accelererer mod elektrificering, fortsætter en teknologi med at tavse denne revolution: den isolerede gate bipolære transistor (IGBT).

World of Power Electronics har set enorme fremskridt i de sidste par årtier, med mere effektive, pålidelige og omkostningseffektive komponenter, der opstår til forskellige applikationer. En sådan innovation på dette felt er Trenchstop Isoleret Gate Bipolar Transistor (IGBT).

Kraftelektronik er rygraden i moderne elektriske systemer, der hjælper med at konvertere, kontrollere og styre elektrisk energi til en række anvendelser.