În domeniul electronicelor de putere, tranzistorul bipolar de poartă izolată (IGBT) este unul dintre cele mai influente componente din ultimele decenii.

În domeniul cu evoluție rapidă a electronicelor de putere, selectarea dispozitivului de comutare dreapta este esențială pentru obținerea eficienței, fiabilității și performanței.

Pe măsură ce industria auto se accelerează spre electrificare, o tehnologie continuă să alimenteze în tăcere această revoluție: tranzistorul bipolar al porții izolate (IGBT).

Lumea electronică a puterii a înregistrat progrese extraordinare în ultimele decenii, cu componente mai eficiente, mai fiabile și mai rentabile care apar pentru diverse aplicații. O astfel de inovație în acest domeniu este tranzistorul bipolar de poartă izolată în tranchstop (IGBT).

Power Electronics este coloana vertebrală a sistemelor electrice moderne, contribuind la convertirea, controlul și gestionarea energiei electrice pentru o varietate de aplicații.