DGC75F65M

75A 650 V: n trenchstop -eristetty portti kaksisuuntainen transistori

Kuvaus1 

Käyttämällä Donghain omaa kaivannesuunnittelua ja edistynyttä FS -tekniikkaa, 650 V: n FS IGBT tarjoaa erinomaisen johtavuus- ja kytkentä suorituskyvyn, korkean lumivyöryn kestävyyden ja helpon rinnakkaisen toiminnan.

Ominaisuudet ：

 FS -kaivantotekniikka, positiivinen lämpötilakerroin

 Matala kylläisyysjännite: VCE (la), typ = 1,7 V @ ic = 75a ja tj = 25 ° C

 Erittäin parannettu lumivyörykyky

Sovellukset ：

Hitsaus, UPS, kolmitasoinen invertteri