vrata
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nahajate se tukaj: domov » Izdelki » IGBT » 600V-650V » DGC75F65M

nalaganje

Skupna raba z:
facebook gumb za skupno rabo
gumb za skupno rabo na Twitterju
gumb za skupno rabo linije
gumb za skupno rabo v wechatu
Linkedin gumb za skupno rabo
gumb za skupno rabo na pinterestu
gumb za skupno rabo WhatsApp
deli ta gumb za skupno rabo

DGC75F65M

Bipolarni tranzistor z izoliranimi vrati 75A 650V
Dobavljivost:
Količina:

Bipolarni tranzistor z izoliranimi vrati 75A 650V

Opis1 

Z uporabo DongHaijeve lastniške zasnove Trench in napredne tehnologije FS nudi 650 V FS IGBT vrhunsko prevodnost in preklopne zmogljivosti, visoko odpornost proti plazovom in enostavno vzporedno delovanje.

Lastnosti:

 FS Trench Technology, pozitivni temperaturni koeficient

 Nizka nasičena napetost: VCE (sat), typ = 1,7 V @ IC = 75 A in Tj = 25 °C

 Izjemno izboljšana sposobnost za plaz

Aplikacije:

Varjenje, UPS, trinivojski inverter

Vrsta

Vce Ic Vcesat,Tj=25℃ Tjmax Paket
DGC75F65M
650V 75A 1,7 V 175 ℃ TO-247


Prejšnja: 
Naprej: 
  • Prijavite se na naše glasilo
  • pripravite se na prihodnost,
    prijavite se na naše glasilo, da boste prejemali posodobitve neposredno v svoj nabiralnik