DGC75F65M

75A 650V Trenchstop Isolated Gate Bipolar Transistor

Beskrivelse1 

Ved å bruke Donghais proprietære grøftedesign og avansert FS -teknologi, tilbyr 650V FS IGBT overlegen lednings- og bytteprestasjoner, høy skred robusthet og enkel parallell drift.

Funksjoner ：

 FS -grøfteteknologi, positiv temperaturkoeffisient

 Lav metningsspenning: VCE (SAT), typ = 1,7V @ ic = 75a og TJ = 25 ° C

 Ekstremt forbedret snøskredfunksjon

Applikasjoner ：

Sveising, ups, tre-nivå inverter