portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » IGBT-MODUULI » PIM » 600A 1200V puolisiltamoduuli DGB600H120L2T 62mm

lastaus

Jaa:
Facebookin jakamispainike
Twitterin jakamispainike
linjanjakopainike
wechatin jakamispainike
linkedinin jakamispainike
pinterestin jakamispainike
whatsapp jakamispainike
jaa tämä jakamispainike

600A 1200V puolisiltamoduuli DGB600H120L2T 62mm

Nämä eristetyt kaksinapaiset transistorit käyttivät edistynyttä kaivanto- ja Fieldstop-tekniikkaa, tarjoten erinomaisen VCEsat-toiminnon ja kytkentänopeuden, alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen.
Saatavuus:
Määrä:
  • DGB600H120L2T

  • LXDH

  • 62 mm

  • DGB600H120L2T.pdf

  • 1200V

  • 600A

600A 1200V puolisiltamoduuli

1 Kuvaus 

Nämä eristetyt kaksinapaiset transistorit käyttivät edistynyttä kaivanto- ja Fieldstop-tekniikkaa, tarjoten erinomaisen VCEsat-toiminnon ja kytkentänopeuden, alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen. 


2 Ominaisuudet 

  ● FS Trench Technology, positiivinen lämpötilakerroin 

  ● Matala kyllästysjännite: VCE (sat), tyyppi = 1,7 V @ IC = 600 A ja Tj = 25 °C 

  ● Erittäin parannettu lumivyörykyky 


3 Sovellukset 

  • Hitsaus 

  • UPS 

  • Kolmiportainen invertteri 

  • AC- ja DC-servotaajuusmuuttajavahvistin


    Tyyppi VCE Ic VCEsat, Tj = 25 ℃ Tjop Paketti
    DGB600H120L2T 1200V 600A (Tj = 100 ℃) 1,7 V (tyyppi) 175℃ 62 mm
Edellinen: 
Seuraavaksi: 
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi