600A 1200V Half Bridge modul DGB600H120L2T 62mm

Ti izolirani bipolarni tranzistor vrat je uporabil napredni jarek in oblikovanje tehnologije Fieldstop, zagotovil odlično hitrost VCESAT in preklopno hitrost, nizko naboj vrat. Ki ustreza standardu ROHS.

Razpoložljivost:

Količina:



Poizvedite Dodaj v košarico

Model:
DGB600H120L2T
Znamka:
WXDH
Paket:
62 mm
Podatkovni list:
DGB600H120L2T.PDF
V:
1200V
A:
600A

Opis izdelka

600A 1200V Half Bridge Modul

1 opis

2 značilnosti

● FS tehnologija jarkov, koeficient pozitivne temperature

● Nizka napetost nasičenosti: VCE (Sat), Typ = 1,7V @ IC = 600A in TJ = 25 ° C

● Izjemno izboljšana sposobnost plazov

3 aplikacije

Varjenje
UPS
Tri leve pretvornik
AC in DC servo pogonski ojačevalnik

Tip VCE Ic VCET, TJ = 25 ℃ Tjop Paket

DGB600H120L2T 1200V 600A (TJ = 100 ℃) 1.7V (Typ) 175 ℃ 62 mm

Prejšnji:

Naslednji:

IGBT modul

Prijavite se za naše glasilo
Pripravite se na prihodnjo
prijavo na naše glasilo, da dobite posodobitve naravnost v mapo »Prejeto«

Oddaj

Naši izdelki
- Mosfet
- Dioda
- IGBT
- IGBT modul
- Sic
- Regulator napetosti IC
O Letorju
- O nas
- Aplikacija
- Trajnost
- Blog
- Kontaktirajte nas
Več povezav
Kontaktirajte nas

E -poštni:

sales@wxdh.com. Cn

Stacionar:

+86-510-85307789
Družbena omrežja

Tip	VCE	Ic	VCET, TJ = 25 ℃	Tjop	Paket
DGB600H120L2T	1200V	600A (TJ = 100 ℃)	1.7V (Typ)	175 ℃	62 mm