port
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du er her: Hjem » Produkter » IGBT -modul » Pim » 600A 1200V Half Bridge Module DGB600H120L2T 62mm

lasting

Del til:
Facebook -delingsknapp
Twitter -delingsknapp
Linjedelingsknapp
WeChat delingsknapp
LinkedIn -delingsknapp
Pinterest delingsknapp
WhatsApp -delingsknappen
Sharethis delingsknapp

600A 1200V Half Bridge Module DGB600H120L2T 62mm

Denne isolerte gate -bipolare transistoren brukte avansert grøft og feltstoppteknologidesign, ga utmerket VCESAT og byttehastighet, lav portladning. Som stemmer overens med ROHS -standarden.
Tilgjengelighet:
Mengde:
  • DGB600H120L2T

  • Wxdh

  • 62mm

  • DGB600H120L2T.PDF

  • 1200V

  • 600A

600A 1200V Half Bridge Module

1 Beskrivelse 

Denne isolerte gate -bipolare transistoren brukte avansert grøft og feltstoppteknologidesign, ga utmerket VCESAT og byttehastighet, lav portladning. Som stemmer overens med ROHS -standarden. 


2 funksjoner 

  ● FS -grøfteteknologi, positiv temperaturkoeffisient 

  ● Lav metningsspenning: VCE (SAT), typ = 1,7V @ ic = 600a og TJ = 25 ° C 

  ● Ekstremt forbedret snøskredfunksjon 


3 søknader 

  • Sveising 

  • UPS 

  • Tre-leve inverter 

  • AC og DC Servo Drive -forsterker


    Type VCE IC Vcesat, TJ = 25 ℃ Tjop Pakke
    DGB600H120L2T 1200V 600A (TJ = 100 ℃) 1.7V (typ) 175 ℃ 62mm
Tidligere: 
NESTE: 
  • Registrer deg for vårt nyhetsbrev
  • Gjør deg klar for fremtiden
    påmelding til vårt nyhetsbrev for å få oppdateringer rett til innboksen