kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Itt vagy: Otthon » Termékek » IGBT modul » Piom » 600A 1200V Half Bridge modul DGB600H120L2T 62mm

terhelés

Ossza meg:
Facebook megosztási gomb
Twitter megosztási gomb
vonalmegosztó gomb
WeChat megosztási gomb
LinkedIn megosztási gomb
Pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztás gomb
Sharethis megosztási gomb

600A 1200V Half Bridge modul DGB600H120L2T 62mm

Ezek a szigetelt kapu bipoláris tranzisztor fejlett árok- és mezőstop technológiai kialakítást használt, kiváló vCesat és váltási sebességet nyújtott, alacsony kapu töltéssel. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
Elérhetőség:
mennyiség:
  • DGB600H120L2T

  • WXDH

  • 62 mm

  • DGB600H120L2T.PDF

  • 1200 V -os

  • 600a

600A 1200V Half Bridge modul

1 Leírás 

Ezek a szigetelt kapu bipoláris tranzisztor fejlett árok- és mezőstop technológiai kialakítást használt, kiváló vCesat és váltási sebességet nyújtott, alacsony kapu töltéssel. Amely megfelel a ROHS szabványnak. 


2 Jellemzők 

  ● FS árok technológiája, pozitív hőmérsékleti együttható 

  ● Alacsony telítettségi feszültség: VCE (SAT), TYP = 1,7 V @ ic = 600a és TJ = 25 ° C 

  ● Rendkívül továbbfejlesztett lavina képesség 


3 alkalmazás 

  • Hegesztés 

  • UPS 

  • Háromszintű inverter 

  • AC és DC Servo Drive erősítő


    Beír Vce IC VCesat, tJ = 25 ℃ Tjop Csomag
    DGB600H120L2T 1200 V -os 600a (TJ = 100 ℃) 1,7 V (typ) 175 ℃ 62 mm
Előző: 
Következő: 
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • Készüljön fel a jövőre,
    regisztráljon hírlevelünkre, hogy egyenesen frissítéseket kapjon a postaládájába